BDAT-B型高壓電容電橋

主要用于測量高壓工業(yè)絕緣材料的介質(zhì)損失角的正切值及電容量。其采用了西林電橋的經(jīng)典線路。
主要可以測量電容器，互感器，變壓器，各種電工油及各種固體絕緣材料在工頻高壓下的介質(zhì)損耗(tg)和電容量( Cx)以，其測量線路采用“正接法”即測量對(duì)地絕緣的試品。
由于電橋內(nèi)附有一個(gè)2500KV的高壓電源及一臺(tái)高壓標(biāo)準(zhǔn)電容器，并將副橋和檢流計(jì)與高壓電橋有機(jī)的結(jié)合在一起，所以本電橋特別適應(yīng)測量各類絕緣油和絕緣材料的介損（tg）及介電常數(shù)（ε）。
 橋體本身帶有5Kv/100pF標(biāo)準(zhǔn)電容,測量材料介損更為方便。
橋體內(nèi)附電位跟蹤器及指另儀，外圍接線及少。
 橋體采用了多樣化的介損測量線路。

技術(shù)指標(biāo)

測量范圍及誤差
    在Cn＝100pF    R4＝3183.2（?）（即10K/π）時(shí)

   測量項(xiàng)目       測量范圍             測量誤差               
  電容量Cx       40pF--20000pF      ±0.5%  Cx±2pF     
 介質(zhì)損耗tg?      0～1              ±1.5％tg?x±0.0001

  在Cn＝100pF      R4＝318.3（?）（即1K/π）時(shí)

   測量項(xiàng)目       測量范圍             測量誤差               
  電容量Cx       4pF--2000pF      ±0.5%  Cx±3pF     
 介質(zhì)損耗tg?      0～0.1          ±1.5％tg?x±0.0001
Ｃｘ＝Ｒ４×Ｃｎ／Ｒ３
tg?＝ω?Ｒ４?Ｃ４
電容量及介損顯示精度：
    電容量： ±0.5%×tgδx±0.0001。
    介  損： ±0.5％tg?x±1×10-4
高壓電源技術(shù)特性
電壓輸出：0～5000V/50Hz
高壓電流輸出：0～10mA
內(nèi)置標(biāo)準(zhǔn)電容器
      電容量為100pF
                   tg小于5X10-5

介電常數(shù)介質(zhì)損耗試驗(yàn)儀

介電常數(shù)介質(zhì)損耗試驗(yàn)儀：GDAT-A
介電常數(shù)介質(zhì)損耗試驗(yàn)儀滿足標(biāo)準(zhǔn)：GBT 1409-2006測量電氣絕緣材料在工頻、音頻、高頻(包括米波波長在內(nèi))下電容率和介質(zhì)損耗因數(shù)的推薦方法
     GDAT-A       
介電常數(shù)介質(zhì)損耗試驗(yàn)儀的詳細(xì)資料：
 一、   介電常數(shù)介質(zhì)損耗試驗(yàn)儀概述
介質(zhì)損耗和介電常數(shù)是各種電瓷、裝置瓷、電容器等陶瓷，還有復(fù)合材料等的一項(xiàng)重要的物理性質(zhì)，通過測定介質(zhì)損耗角正切tanδ及介電常數(shù)(ε)，可進(jìn)一步了解影響介質(zhì)損耗和介電常數(shù)的各種因素，為提高材料的性能提供依據(jù)；儀器的基本原理是采用高頻諧振法，并提供了，通用、多用途、多量程的阻抗測試。它以單片計(jì)算機(jī)作為儀器的控制，測量核心采用了頻率數(shù)字鎖定，標(biāo)準(zhǔn)頻率測試點(diǎn)自動(dòng)設(shè)定，諧振點(diǎn)自動(dòng)搜索，Q值量程自動(dòng)轉(zhuǎn)換，數(shù)值顯示等新技術(shù)，改進(jìn)了調(diào)諧回路，使得調(diào)諧測試回路的殘余電感減至zui低，并保留了原Q表中自動(dòng)穩(wěn)幅等技術(shù)，使得新儀器在使用時(shí)更為方便，測量值更為精確。儀器能在較高的測試頻率條件下，測量高頻電感或諧振回路的Q值，電感器的電感量和分布電容量，電容器的電容量和損耗角正切值，電工材料的高頻介質(zhì)損耗，高頻回路有效并聯(lián)及串聯(lián)電阻，傳輸線的特性阻抗等。 

電感：
 
線圈號(hào)    測試頻率    Q值    分布電容p       電感值  
  9         100KHz      98       9.4           25mH
  8         400KHz     138       11.4        4.87mH
  7         400KHz    202       16           0.99mH
  6           1MHz     196       13          252μH
  5           2MHz     198       8.7        49.8μH
  4         4.5MHz    231       7             10μH 
  3          12MHz      193     6.9         2.49μH
  2          12MHz      229     6.4        0.508μH           
  1   25MHz，50MHz   233，211    0.9       0.125μH

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